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    HMN4M8DVN-85I 参数 Datasheet PDF下载

    HMN4M8DVN-85I图片预览
    型号： HMN4M8DVN-85I
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非易失性SRAM模块32兆（ 4,096K ×8位） ， 40PIN DIP， 3.3V [Non-Volatile SRAM MODULE 32Mbit (4,096K x 8-Bit), 40Pin-DIP, 3.3V]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 182 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HMN4M8DVN-85I的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HMN4M8DVN-85I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMN4M8DVN-85I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMN4M8DVN-85I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMN4M8DVN-85I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HMN4M8DVN-85I的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HMN4M8DVN-85I的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HMN4M8DVN-85I的Datasheet PDF文件第9页  
    韩光
    真值表
    模式
    未选择
    输出禁用
    读
    写
    / OE
    X
    H
    L
    X
    / CE
    H
    L
    L
    L
    CE2
    X
    H
    H
    H
    / WE
    X
    H
    H
    L
    HMN4M8DV(N)
    I / O操作
    高Z
    高Z
    D
    OUT
    D
    IN
    动力
    待机
    活跃
    活跃
    活跃
    绝对最大额定值
    参数
    直流电压施加于V
    CC
    相对于V
    SS
    直流电压施加在任意引脚不包括V
    CC
    相对的
    到V
    SS
    工作温度
    储存温度
    在偏置温度
    焊接温度
    注意：
    符号
    V
    CC
    V
    T
    等级
    -0.5V到V
    CC
    +0.2V
    -0.2V至4.6V
    0至70℃
    -40到85°C
    -65 ℃〜150 ℃的
    -40 ° C至85°C
    260°C
    10秒
    广告
    产业
    条件
    T
    OPR
    T
    英镑
    T
    BIAS
    T
    SOLDER
    如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
    功能操作应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。
    暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
    建议的直流工作条件（T
    A
    = T
    OPR
    )
    参数
    电源电压
    地
    输入高电压
    输入低电压
    注意：
    符号
    V
    CC
    V
    SS
    V
    IH
    V
    IL
    民
    3.0V
    0
    2.2
    -0.2
    2)
    典型
    3.3V
    0
    -
    -
    最大
    3.6V
    0
    V
    CC
    +0.3V
    0.6V
    1)
    1.过冲： VCC + 2.0V的情况下，脉冲宽度
    ≤20ns.
    3.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
    2.冲： -2.0V的情况下脉冲宽度的
    ≤20ns.
    网址： www.hbe.co.kr
    1.0版（ 2002年5月）
    3
    韩光电器有限公司

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