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    HMN4M8DVN-85I 参数 Datasheet PDF下载

    HMN4M8DVN-85I图片预览
    型号： HMN4M8DVN-85I
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非易失性SRAM模块32兆（ 4,096K ×8位） ， 40PIN DIP， 3.3V [Non-Volatile SRAM MODULE 32Mbit (4,096K x 8-Bit), 40Pin-DIP, 3.3V]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 182 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HMN4M8DVN-85I的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HMN4M8DVN-85I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMN4M8DVN-85I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMN4M8DVN-85I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMN4M8DVN-85I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMN4M8DVN-85I的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HMN4M8DVN-85I的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HMN4M8DVN-85I的Datasheet PDF文件第9页  
    韩光
    数据保持特性
    (T
    A
    = T
    OPR ，
    V
    CC
    =5V)
    参数
    VCC为数据保留
    数据保持电流
    数据保留的建立时间
    恢复时间
    符号
    V
    DR
    I
    DR
    t
    SDR
    t
    RDR
    SEE
    条件
    CE≥Vcc-0.2V
    VCC = 3.0V ， CE≥Vcc
    数据
    保留
    0
    t
    RC
    民
    1.5
    HMN4M8DV(N)
    典型值。
    -
    2
    -
    -
    最大
    3.6
    24
    -
    单位
    V
    uA
    波形
    ms
    -
    掉电/电周期
    (T
    A
    = T
    OPR ，
    V
    CC
    =3.3V)
    参数
    V
    PFD
    （MAX）到V
    PFD
    （最小值）V
    CC
    故障时间
    V
    PFD
    （MAX）到V
    SS
    V
    CC
    失败
    时间
    V
    PFD
    （MAX）到V
    PFD
    （最小值）V
    CC
    上升时间
    写保护时间
    符号
    t
    F
    t
    FB
    t
    R
    Vcc的延迟之后向下剧烈变化
    t
    WPT
    以往V
    PFD
    之前， SRAM是
    写保护。
    芯片使能恢复
    V
    SS
    到V
    PFD
    （最小值）V
    CC
    上升
    时间
    t
    CER
    40
    -
    120
    ms
    40
    250
    ms
    条件
    民
    300
    150
    10
    典型值。
    -
    -
    -
    最大
    -
    -
    -
    单位
    ms
    ms
    ms
    t
    RB
    1
    -
    -
    ms
    时序波形
    - 读周期NO.1 （地址访问） *
    1,2
    t
    RC
    地址
    t
    加
    t
    OH
    D
    OUT
    以前的数据有效
    数据有效
    网址： www.hbe.co.kr
    1.0版（ 2002年5月）
    6
    韩光电器有限公司

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