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HMNR328D 参数 Datasheet PDF下载

HMNR328D图片预览
型号: HMNR328D
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内容描述: 5.0或3.3V , 256K位( 32千位×8 ) TIMEKEEPER NVSRAM [5.0 or 3.3V, 256K bit (32 Kbit x 8) TIMEKEEPER NVSRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 302 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
读取模式
HMNR328D(V)
该HMNR328D ( V)在读模式时/ WE (写使能)为高, / CE (片选)低。该
由1 5地址输入指定的唯一的地址定义了的32768个字节的数据中的一个将被访问。有效
数据将在数据I /地址的访问时间内,输出引脚(T
AVQV
)后的最后一个地址输入信号是稳定的,
提供/ CE和/ OE访问时间还纳。如果在/ CE和/ OE访问时间得不到满足,有效数据将
芯片使能访问时间的后期(T后可用
ELQV
)或输出启用访问时间(t
GLQV
) 。的状态
8三态数据I / O信号由/ CE和/ OE控制。如果输出为t之前激活
AVQV
中,数据线将
被驱动到一个不确定的状态,直到吨
AVQV
。如果在地址输入改变,而/ CE和/ OE保持活跃,输出
数据有效期为输出数据保持时间(t
AXQX
),但走不定,直到下一个地址的访问。
阅读模式AC波形
/ CE
/ OE
: / WE =高。
阅读模式AC特性
HMNR328D
符号
参数
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
(2)
t
ELQX
HMNR328D
-100
100
最大
100
100
50
10
5
HMNR328DV
-85
85
85
85
35
5
0
最大
单位
-70
最大
70
70
35
5
5
25
25
10
10
70
读周期时间
地址有效到输出有效
芯片使能低到输出有效
输出使能低到输出有效
芯片使能低到输出转换
输出使能低到输出转换
芯片使能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
地址转换到输出转换
nS
nS
nS
nS
nS
nS
25
25
nS
nS
nS
t
GLQX
t
EHQZ
(2)
(2)
(2)
40
40
10
t
GHQZ
t
AXQX
注: 1.Valid的工作环境温度: TA = 0 〜70 ℃; VCC = 4.5〜 5.5V或3.0〜 3.6V (除非另有说明) 。
2,CL = 5pF的。
网址: www.hbe.co.kr
修订版0.0 ( 2002年1月)
6
韩光电器有限公司。