韩光
写模式AC特性
HMNR328D
符号
参数
(1)
HMNR328D(V)
HMNR328D
-100
民
100
0
0
80
80
10
10
50
50
5
5
最大
HMNR328DV
-85
民
85
0
0
55
60
0
0
30
30
0
0
最大
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
25
65
65
5
nS
nS
nS
nS
单位
-70
民
最大
70
0
0
50
55
0
0
30
30
5
5
25
60
60
5
80
80
5
t
AVAV
t
AVWL
t
AVEL
t
WLWH
t
ELEH
t
WHAX
t
EHAX
t
DVWH
t
DVEH
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
(2,3)
写周期时间
地址有效到写使能低
地址有效到芯片使能低
写使能脉冲宽度
芯片使能低到芯片使能高
写使能高到地址转换
芯片使能高到地址转换
输入有效到写使能高
输入有效到芯片使能高
写使能高到输入转换
芯片使能高到输入转换
写使能低到输出高阻
地址有效到写使能高
地址有效到芯片使能高
写使能高到输出转换
50
t
AVWH
t
AVEH
t
WHQX
(2,3)
记
： 1.有效的环境工作温度： TA = 0 〜70 ℃; VCC = 4.5〜 5.5V或3.0〜 3.6V （除非
说明） 。
2，CL = 5pF的。
3.如果/ CE同时变为低配/我们要低，输出保持在高阻抗状态。
数据保持方式
凭有效V
CC
应用中， HMNR328D （Ⅴ ）作为常规字节宽度的静态RAM 。如若电源电压
腐烂的RAM将自动取消，写保护自己当V
CC
V介于
PFD
（最大值） ，V
PFD
（分钟）窗口。
所有输出变为高阻抗，所有的输入都被视为
“
不关心“ 。
注：在写周期可能会在当前腐败的数据寻址单元电源故障，但不会危及
该内存的其他内容。在低于V的电压
PFD
（分钟），则存储器将处于写保护状态时，设置在V
CC
下降时间不大于吨以下
F
。该HMNR328D （ V）可对V瞬态噪声尖峰回应
CC
跨到取消
时器件被采样V中的时间窗口
CC
。因此，电源线去耦，推荐。
当V
CC
低于V
SO
时，控制电路转换到动力电池内部，保存数据和供电
时钟。内部能量源将维持在HMNR328D （V）的数据进行了至少10年的累积期间
在室温下进行。由于系统电源升至大于V
SO
时，电池被断开，并且电源被切换到
外部V
CC
。写保护一直持续到V
CC
达到V
PFD
（分）加吨
REC
（分钟）。正常RAM操作就可以恢复
t
REC
经过V
CC
超过V
PFD
（最大值）。
网址： www.hbe.co.kr
修订版0.0 （ 2002年1月）
8
韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
