HMNR328D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HMNR328D
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内容描述：	5.0或3.3V ， 256K位（ 32千位×8 ） TIMEKEEPER NVSRAM [5.0 or 3.3V, 256K bit (32 Kbit x 8) TIMEKEEPER NVSRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	13 页 / 302 K
品牌：	HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]

韩光

掉电/模式AC波形

HMNR328D(V)

电力向下/向上AC特性

符号

(2)

参数

PFD

（MAX）到V

PFD

（最小值）V

下降时间

PFD

（分钟）至V

下降时间

HMNR328D

HMNR328DV

民

300

150

最大

单位

(3)

(4)

REC

PFD

（分钟）至V

PFD

（最大值）V

上升时间

PFD

（最大值），以RST高

到V

PFD

（最小值）V

上升时间

200

记

1.有效的环境工作温度：T已

= 0至70℃ ; V

= 4.5〜 5.5V或3.0〜 3.6V （除非另有说明）。

2. V

PFD

（MAX）到V

PFD

（分）落入小于tF的时间，可能会导致取消选择/写保护后没有发生，直到200μ

通过V

PFD

（最小值）。

3. V

PFD

（分钟）至V

属于小于T的时间

可能会导致内存中的数据损坏。

电力向下/向上跳变点DC特性

符号

PFD

参数

电源故障取消电压

(1,2)

民

HMNR328D

HMNR328DV

4.2

2.7

典型值

4.35

2.9

3.0

PFD

-100mV

最大

4.5

3.0

单位

岁月

(3)

备用电池切换

电压

HMNR328D

HMNR328DV

预计数据保存时间

注意事项：1.参考V所有电压

2.有效的工作环境温度：T已

= 0至70℃ ; V

= 4.5〜 5.5V或3.0〜 3.6V （除非另有说明）。

3.在25 ° C。

网址： www.hbe.co.kr

修订版0.0 （ 2002年1月）

韩光电器有限公司。

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