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    HMS25632M8G-17 参数 Datasheet PDF下载

    HMS25632M8G-17图片预览
    型号： HMS25632M8G-17
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SRAM模块1M字节（ 256K ×32位） [SRAM MODULE 1Mbyte (256K x 32-Bit)]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 248 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HMS25632M8G-17的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HMS25632M8G-17的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMS25632M8G-17的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMS25632M8G-17的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMS25632M8G-17的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HMS25632M8G-17的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HMS25632M8G-17的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HMS25632M8G-17的Datasheet PDF文件第9页  
    韩光
    电容
    描述
    输入/输出电容
    输入电容
    测试条件
    V
    I / O
    =0V
    V
    IN
    =0V
    符号
    C
    I / O
    C
    IN
    HMS25632M8G/Z8
    最大
    8
    6
    单位
    pF
    pF
    *注
    ：电容采样，而不是100 ％测试
    AC特性
    (0oC
    ≤
    TA
    ≤
    70摄氏度; VCC = 5V
    ±
    0.5V ，除非另有规定）
    测试条件
    参数
    输入脉冲电平
    输入上升和下降时间
    输入和输出时序参考电平
    输出负载
    价值
    0至3V
    3ns
    1.5V
    见下文
    产量
    +5V
    负载
    输出负载（ B）
    对于T
    HZ
    , t
    LZ
    , t
    WHZ
    , t
    OW
    , t
    OLZ
    ＆放大器;牛逼
    OHZ
    +5V
    480
    Ω
    D
    OUT
    255
    Ω
    30pF*
    D
    OUT
    255
    Ω
    480
    Ω
    5pF*
    读周期
    -12
    参数
    读周期时间
    地址访问时间
    芯片选择输出
    输出使能输出
    输出使能为低阻抗输出
    芯片使能为低阻抗输出
    输出禁止到高阻输出
    芯片禁用到高阻输出
    从地址变更输出保持
    符号
    民
    最大
    民
    最大
    民
    最大
    -15
    -20
    单位
    t
    RC
    t
    AA
    t
    CO
    t
    OE
    t
    OLZ
    t
    LZ
    t
    OHZ
    t
    HZ
    t
    OH
    12
    12
    12
    6
    0
    3
    0
    0
    3
    6
    6
    15
    15
    15
    7
    0
    3
    0
    0
    3
    7
    7
    20
    20
    20
    9
    0
    3
    0
    0
    3
    9
    9
    ns
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    4
    韩光电器有限公司。

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