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HMS25632M8G-17 参数 Datasheet PDF下载

HMS25632M8G-17图片预览
型号: HMS25632M8G-17
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内容描述: SRAM模块1M字节( 256K ×32位) [SRAM MODULE 1Mbyte (256K x 32-Bit)]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 248 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
读周期的时序波形
( / CE控制)
t
RC
地址
t
AA
/ CE
t
LZ(4,5
)
/ OE
t
OLZ
数据输出
VCC电源
当前
高-Z
数据有效
HMS25632M8G/Z8
t
HZ(3,4,5)
t
CO
t
OHZ
t
OE
t
OH
l
CC
l
SB
t
PU
50%
t
PD
50%
笔记
(读周期)
1 / WE高读周期。
2.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
3. t
HZ
和T
OHZ
被定义为在所述输出达到开路状态而没有被引用到V的时间
OH
或V
OL
的水平。
4.在任何给定的温度和电压条件下,叔
HZ
(最大)小于吨
LZ
(分钟)都对于给定的设备和从设备到设备。
5.转换测量
±
200mV的从稳态电压与负载(B ) 。这个参数进行采样,而不是100 %测试。
6.设备,不间断地与/ CE = V选择
IL
.
7.解决之前,暗合/ CE过渡低有效。
写周期时序波形
( / OE =时钟)
t
WC
地址
t
AW
t
WR(5)
/ OE
t
CW(3)
/ CE
t
AS(4)
t
WP(2)
/ WE
t
DW
t
DH
数据有效
t
OHZ(6)
高-Z
DATA IN
数据输出
高-Z
6
韩光电器有限公司。