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HMS25632M8G-17 参数 Datasheet PDF下载

HMS25632M8G-17图片预览
型号: HMS25632M8G-17
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内容描述: SRAM模块1M字节( 256K ×32位) [SRAM MODULE 1Mbyte (256K x 32-Bit)]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 248 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
芯片的选择上电时间
芯片选择关机时间
t
PU
t
PD
-
-
12
0
HMS25632M8G/Z8
0
15
20
ns
ns
写周期
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
写入到输出低-Z结束
-12
符号
最大
最大
最大
-15
-20
单位
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
12
8
0
8
8
0
0
6
0
3
6
15
9
0
9
9
0
0
7
0
3
7
20
10
0
10
10
0
0
8
0
5
9
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
时序图
读周期的时序波形
(地址控制) ( / CE = / OE = V
IL
, / WE = V
IH
)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据输出
以前的数据有效
数据有效
5
韩光电器有限公司。