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    HSD128M72B9K-F10L 参数 Datasheet PDF下载

    HSD128M72B9K-F10L图片预览
    型号： HSD128M72B9K-F10L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 同步DRAM模块1024MByte。点击（ 128Mx72Bit ） ， 8K参考， 3.3V无缓冲ECC SO- DIMM ， [Synchronous DRAM Module 1024Mbyte (128Mx72Bit), 8K Ref., 3.3V ECC Unbuffered SO-DIMM,]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 207 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HSD128M72B9K-F10L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HSD128M72B9K-F10L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HSD128M72B9K-F10L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HSD128M72B9K-F10L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HSD128M72B9K-F10L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HSD128M72B9K-F10L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HSD128M72B9K-F10L的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HSD128M72B9K-F10L的Datasheet PDF文件第9页  
    韩光
    引脚功能说明
    针
    CLK0~CLK1
    /CS0~/CS1
    名字
    系统时钟
    芯片选择
    输入功能
    HSD128M72B9K
    活跃在正边沿采样所有输入。
    禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
    CLK ， CKE和DQM
    面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
    CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
    禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
    CKE前应进行有效的命令启用1CLK + TSS 。
    行/列地址被复用在相同的针。
    行地址： RA0 〜 RA12 ，列地址： CA0 〜 CA9 ， CA11
    选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
    在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
    锁存与/ RAS低CLK的正边沿行地址。
    让行存取&预充电。
    锁存器地址栏上的CLK与/ CAS的正边沿
    低。启用列的访问。
    允许写操作和行预充电。
    锁存数据从/ CAS起， / WE活跃。
    使得数据输出高阻，T
    SHZ
    后的时钟和掩模的输出。
    块中的数据输入时， DQM活跃。 （字节屏蔽）
    数据输入/输出复用在相同的针。
    校验位用于ECC
    电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
    CKE0 ， CKE1
    时钟使能
    A0 ~ A12
    BA0 〜 BA1
    / RAS
    / CAS
    / WE
    DQM0 〜 7
    DQ0 〜 63
    CB0~7
    V
    CC
    / V
    SS
    地址
    银行选择地址
    行地址选通
    列地址选通
    写使能
    数据输入/输出面膜
    数据输入/输出
    校验位
    电源/接地
    绝对最大额定值
    参数
    任何引脚相对于VSS的电压
    在VCC电源相对于Vss电压
    功耗
    储存温度
    短路输出电流
    注意事项：
    如果"绝对最大Ratings"超出可能会造成永久性损坏设备。
    仅限于在本数据表的业务部门的详细情况。
    额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
    功能操作应
    暴露在绝对最大
    符号
    V
    IN
    , V
    OUT
    VCC
    P
    D
    T
    英镑
    I
    OS
    等级
    -1V至4.6V
    -1V至4.6V
    18W
    -55℃至150℃
    50mA
    网址：
    www.hbe.co.kr
    REV.0.0 （ 2003年1月）。
    4
    韩光电器有限公司。

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