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HSD128M72B9K-F10L 参数 Datasheet PDF下载

HSD128M72B9K-F10L图片预览
型号: HSD128M72B9K-F10L
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内容描述: 同步DRAM模块1024MByte。点击( 128Mx72Bit ) , 8K参考, 3.3V无缓冲ECC SO- DIMM , [Synchronous DRAM Module 1024Mbyte (128Mx72Bit), 8K Ref., 3.3V ECC Unbuffered SO-DIMM,]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 207 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
直流工作条件
(推荐的操作条件(电压引用到VSS = 0V , TA = 0〜70 ℃))
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
注意事项:
1. V
IH
(最大)= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
£
3ns.
2. V
IL
(分钟) = -2.0V交流。下冲电压持续时间
£
3ns.
3.任何输入0V
£
V
IN
£
V
DDQ
.
符号
VCC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
典型值。
3.3
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
Vcc+0.3
0.8
-
0.4
10
HSD128M72B9K
单位
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器,三态输出。
电容
(V
CC
= 3.3V ,T
A
= 23 ° C,F = 1MHz时, VREF = 1.4V
±
200毫伏)
参数
输入电容( A0 〜 A12 , BA0 〜 BA1 )
输入电容( / RAS , / CAS , / WE)
输入电容( CKE0 〜 CKE1 )
输入电容( CLK0 〜 CLK1 )
输入电容( / CS0 〜 / CS1 )
输入电容( DQM0 〜 DQM1 )
数据的输入电容( DQ0 〜 DQ63 )
数据的输入电容( CB0 〜 CB7 )
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
IN6
C
IN7
C
OUT
45
45
35
25
35
10
15
15
最大
90
90
60
45
60
25
30
30
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
DC特性
(推荐的工作条件,除非另有说明, TA = 0〜70 ℃)下
参数
工作电流
(一银行活动)
符号
测试条件
突发长度= 1
I
CC1
t
RC
³
t
RC
(分钟)
I
O
= 0毫安
I
CC2
P
I
CC2
PS
CKE
£
V
IL
(最大)
t
CC
=10ns
CKE & CLK
£
V
IL
(最大)
t
CC
CKE
³
V
IH
(分钟)
预充电待机电流在
非掉电模式
I
CC2
N
CS *
³
V
IH
( MIN)
在20ns的时间
t
CC
=10ns
输入信号被改变1
360
mA
36
36
mA
mA
1080
990
990
990
mA
1
VERSION
-13
-12
-10
-10L
单位
预充电待机电流在
掉电模式
网址:
www.hbe.co.kr
REV.0.0 ( 2003年1月)。
5
韩光电器有限公司。