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    HSD32M32M4V-F12 参数 Datasheet PDF下载

    HSD32M32M4V-F12图片预览
    型号： HSD32M32M4V-F12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 同步DRAM模组128Mbyte （ 32M ×32位）， 72引脚SIMM基于32Mx8 ， 4Banks ， 8K参考， 3.3V [Synchronous DRAM Module 128Mbyte ( 32M x 32-Bit ) 72-Pin SIMM based on 32Mx8, 4Banks, 8K Ref., 3.3V]
    分类和应用： 存储动态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 83 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HSD32M32M4V-F12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HSD32M32M4V-F12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HSD32M32M4V-F12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HSD32M32M4V-F12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HSD32M32M4V-F12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HSD32M32M4V-F12的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HSD32M32M4V-F12的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HSD32M32M4V-F12的Datasheet PDF文件第9页  
    韩光
    HSD32M32M4V
    直流工作条件
    （推荐的操作条件（电压引用到VSS = 0V ， TA = 0〜70 ℃））
    参数
    电源电压
    输入高电压
    输入低电压
    输出高电压
    输出低电压
    符号
    VCC
    V
    IH
    V
    IL
    V
    OH
    V
    OL
    民
    3.0
    2.0
    -0.3
    2.4
    -
    典型值。
    3.3
    3.0
    0
    -
    -
    最大
    3.6
    Vcc+0.3
    0.8
    -
    0.4
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    1
    2
    I
    OH
    = -2mA
    I
    OL
    = 2毫安
    3
    记
    输入漏电流
    I
    LI
    -10
    -
    10
    uA
    注意事项：
    1. V
    IH
    （最大）= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
    ≤
    3ns.
    2. V
    IL
    （分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
    ≤
    3ns.
    3.任何输入0V
    ≤
    V
    IN
    ≤
    V
    DDQ
    .
    输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
    电容
    （ VCC = 3.3V ， TA = 23 ° C，F = 1MHz时， VREF = 1.4V
    ±
    200毫伏）
    描述
    地址（ A0 〜 A12 ， BA0 〜 BA1 ）
    / RAS ， / CAS ， / WE
    CKE(CKE0)
    时钟（ CLK0 ）
    / CE （ / CE1 ）
    DQM （ DQM0 〜 DQM3 ）
    DQ （ DQ0 〜 DQ32 ）
    符号
    C
    添加
    C
    IN
    C
    CKE
    C
    CLK
    C
    CS
    C
    DQM
    C
    OUT
    民
    15
    15
    15
    7.5
    15
    6.5
    7
    最大
    25
    25
    25
    9
    25
    7.5
    8.5
    单位
    pF
    pF
    pF
    pF
    pF
    pF
    pF
    DC特性
    （推荐的工作条件，除非另有说明， TA = 0〜70 ℃）下
    TEST
    参数
    符号
    条件
    突发长度= 1
    工作电流
    （一银行活动）
    I
    CC1
    t
    RC
    ≥
    t
    RC
    （分钟）
    I
    O
    = 0毫安
    I
    CC2
    P
    CKE
    ≤
    V
    IL
    （最大）
    t
    CC
    =10ns
    CKE & CLK
    ≤
    V
    IL
    （最大）
    t
    CC
    =∞
    8
    mA
    8
    mA
    480
    480
    440
    440
    mA
    1
    -A
    -8
    -H
    -L
    VERSION
    单位
    记
    预充电待机电流在
    掉电模式
    I
    CC2
    PS
    网址： www.hbe.co.kr
    REV.1.0 （ August.2002 ）
    -4-
    韩光电器有限公司

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