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HSD32M64F8V-12 参数 Datasheet PDF下载

HSD32M64F8V-12图片预览
型号: HSD32M64F8V-12
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内容描述: 同步DRAM模块, 256Mbyte ( 32M ×64位)的基础上32Mx8 , 4Banks , 8K参考SMM 。 , 3.3V [Synchronous DRAM Module, 256Mbyte ( 32M x 64-Bit ) SMM based on 32Mx8, 4Banks, 8K Ref., 3.3V]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 89 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
直流工作条件
(推荐的操作条件(电压引用到VSS = 0V , TA = 0〜70 ℃))
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
符号
VCC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
典型值。
3.3
3.0
0
-
-
最大
3.6
Vcc+0.3
0.8
-
0.4
HSD32M64F8V/VA
单位
V
V
V
V
V
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
输入漏电流
I
LI
-10
-
10
uA
注意事项:
1. V
IH
(最大)= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
3ns.
2. V
IL
(分钟) = -2.0V交流。下冲电压持续时间
3ns.
3.任何输入0V
V
IN
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器,三态输出。
电容
( VCC = 3.3V , TA = 23 ° C,F = 1MHz时, VREF = 1.4V
±
200毫伏)
描述
时钟
地址
/ RAS , / CAS , / WE , / CS , CKE , DQM
DQ ( DQ0 〜 DQ15 )
符号
C
CLK
C
添加
C
IN
C
OUT
20
20
20
32
最大
32
40
40
52
单位
pF
pF
pF
pF
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 )
4
韩光电器有限公司。