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HSD32M64F8V-12 参数 Datasheet PDF下载

HSD32M64F8V-12图片预览
型号: HSD32M64F8V-12
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内容描述: 同步DRAM模块, 256Mbyte ( 32M ×64位)的基础上32Mx8 , 4Banks , 8K参考SMM 。 , 3.3V [Synchronous DRAM Module, 256Mbyte ( 32M x 64-Bit ) SMM based on 32Mx8, 4Banks, 8K Ref., 3.3V]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 89 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
AC运行试验条件
HSD32M64F8V/VA
(VCC = 3.3V
±
0.3V , TA = 0 〜70 ° C)
参数
交流输入电平( VIH / VIL)
输入定时测量参考电平
输入上升和下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载条件
价值
2.4/0.4
1.4
TR / TF = 1/1
1.4
SEE图。 2
单位
V
V
ns
V
+3.3V
V
tt
=1.4V
1200Ω
D
OUT
870Ω
50pF*
V
OH
(DC )= 2.4V时,我
OH
= -2mA
V
OL
( DC )= 0.4V时,我
OL
= 2毫安
D
OUT
Z0=50Ω
50Ω
50pF
(图2 ) AC输出负载电路
(图1 )直流输出负载电路
经营AC参数
(交流工作条件,除非另有说明)
VERSION
参数
行有效至行主动延迟
RAS到CAS延迟
行预充电时间
行活动时间
符号
-13
t
RRD
(分钟)
t
RP
(分钟)
t
RP
(分钟)
t
RAS
(分钟)
t
RAS
(最大)
TRC
(分钟)
单位
-12
16
20
20
48
100
65
68
2
2 CLK + 20纳秒
1
1
1
2
ea
70
70
-10
20
20
20
50
-10L
20
20
20
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CLK
-
CLK
CLK
CLK
15
20
20
45
1
1
1
1
行周期时间
在过去的数据来行预充电
到主动延迟的最后一个数据
最后的数据到新的关口。地址的延迟
在最后的数据以突发停止
上校地址上校地址的延迟
的有效输出数据的数量
1
2.5
5
2
2
3
4
t
RDL
(分钟)
t
DAL
(分钟)
t
CDL
(分钟)
t
BDL
(分钟)
t
CCD
(分钟)
CAS延时= 3
CAS延时= 2
-
1
韩光电器有限公司。
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 )
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