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    HSD32M64F8V-12 参数 Datasheet PDF下载

    HSD32M64F8V-12图片预览
    型号： HSD32M64F8V-12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 同步DRAM模块， 256Mbyte （ 32M ×64位）的基础上32Mx8 ， 4Banks ， 8K参考SMM 。 ， 3.3V [Synchronous DRAM Module, 256Mbyte ( 32M x 64-Bit ) SMM based on 32Mx8, 4Banks, 8K Ref., 3.3V]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 89 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HSD32M64F8V-12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HSD32M64F8V-12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HSD32M64F8V-12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HSD32M64F8V-12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HSD32M64F8V-12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HSD32M64F8V-12的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HSD32M64F8V-12的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HSD32M64F8V-12的Datasheet PDF文件第9页  
    韩光
    DC特性
    HSD32M64F8V/VA
    （推荐的工作条件，除非另有说明， TA = 0〜70 ℃）下
    TEST
    参数
    符号
    条件
    突发长度= 1
    工作电流
    （一银行活动）
    I
    CC1
    t
    RC
    ≥
    t
    RC
    （分钟）
    I
    O
    = 0毫安
    I
    CC2
    P
    CKE
    ≤
    V
    IL
    （最大）
    t
    CC
    =10ns
    CKE & CLK
    ≤
    V
    IL
    （最大）
    t
    CC
    =∞
    CKE
    ≥
    V
    IH
    （分钟）
    I
    CC2
    N
    预充电待机电流在
    在20ns的一次
    非掉电模式
    I
    CC2
    NS
    CKE
    ≥
    V
    IH
    （分钟）
    CLK
    ≤
    V
    IL
    （最大） ，
    t
    CC
    =∞
    112
    mA
    CS *
    ≥
    V
    IH
    （ MIN）
    t
    CC
    =10ns
    128
    16
    mA
    16
    mA
    960
    960
    880
    880
    mA
    1
    -13
    -12
    -10
    -10L
    VERSION
    单位
    记
    预充电待机电流在
    掉电模式
    I
    CC2
    PS
    输入信号被改变
    输入信号是稳定的
    活跃
    待机
    当前
    in
    I
    CC3
    P
    I
    CC3
    PS
    CKE
    ≤
    V
    IL
    （最大值），叔
    CC
    =10ns
    CKE&CLK
    ≤
    V
    IL
    （最大）
    t
    CC
    =∞
    CKE = V
    IH
    （ MIN）
    I
    CC3
    N
    CS * ≥V
    IH
    （ MIN）
    t
    CC
    =10ns
    240
    mA
    48
    mA
    48
    掉电模式
    在活动待机电流
    非掉电模式
    （一银行活动）
    输入信号被改变
    在20ns的一次
    CKE≥VIH （分钟）
    I
    CC3
    NS
    CLK
    ≤VIL （最大值） ，
    t
    CC
    =∞
    200
    输入信号是稳定的
    I
    O
    = 0毫安
    工作电流
    （突发模式）
    I
    CC4
    第一阵
    1120
    4Banks激活
    t
    CCD
    = 2CLKs
    刷新当前
    自刷新电流
    I
    CC5
    I
    CC6
    t
    RC
    ≥
    t
    RC
    （分钟）
    CKE
    ≤
    0.2V
    1680
    1680
    40
    16
    注意事项：
    1.测量与产出开放。
    2.刷新周期是64毫秒。
    3.除非另有注意到，输入摆幅级别CMOS （V
    IH
    /V
    IL
    =V
    DDQ
    /V
    SSQ
    ).
    网址： www.hbe.co.kr
    REV.1.0 （ August.2002 ）
    韩光电器有限公司。
    1120
    920
    920
    mA
    1
    1600
    1600
    mA
    mA
    mA
    2
    5

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