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RF1S30N06LE 参数 Datasheet PDF下载

RF1S30N06LE图片预览
型号: RF1S30N06LE
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内容描述: 30A , 60V , ESD额定额定雪崩,逻辑电平N沟道增强型功率MOSFET [30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 95 K
品牌: HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
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特定网络阳离子RFP30N06LE , RF1S30N06LE , RF1S30N06LESM
电气连接特定的阳离子
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
T
C
= +25
o
C,除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250µA
V
DS
= 60V,
V
GS
= 0V
V
GS
= +10, -8V
I
D
= 30A ,V
GS
= 5V
V
DD
= 30V ,我
D
= 30A,
R
L
= 1Ω, V
GS
= 5V,
R
GS
= 2.5Ω
T
C
= +25
o
C
T
C
= +150
o
C
60
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
DD
= 48V,
I
D
= 30A,
R
L
= 1.6Ω
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
11
88
30
40
-
51
28
1.8
1350
290
85
-
-
最大
-
2
1
50
10
0.047
140
-
-
-
-
100
62
34
2.6
-
-
-
1.55
80
单位
V
V
µA
µA
µA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
栅极 - 源极漏电流
抗性
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS ( ON)
t
ON
t
D(上)
t
R
t
D(关闭)
t
F
t
关闭
Q
G( TOT )
Q
G(5)
Q
G( TH )
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
C / W
源极 - 漏极二极管特定网络阳离子
参数
正向电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
RR
测试条件
I
SD
= 30A
I
SD
= 30A ,二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
125
单位
V
ns
5-46