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    RF1S30N06LE 参数 Datasheet PDF下载

    RF1S30N06LE图片预览
    型号： RF1S30N06LE
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 30A ， 60V ， ESD额定额定雪崩，逻辑电平N沟道增强型功率MOSFET [30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 95 K
    品牌： HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
     浏览型号RF1S30N06LE的Datasheet PDF文件第1页浏览型号RF1S30N06LE的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RF1S30N06LE的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RF1S30N06LE的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RF1S30N06LE的Datasheet PDF文件第6页  
    RFP30N06LE ， RF1S30N06LE ， RF1S30N06LESM
    典型性能曲线
    3.0
    2.5
    r
    DS （ ON）
    归一化
    2.0
    1.5
    1.0
    0.5
    0.0
    -80
    V
    GS （ TH）
    归一化门
    阈值电压
    （续）
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = 250µA
    2.0
    脉冲宽度= 250μs的，V
    GS
    = 5V ，我
    D
    = 30A
    1.5
    1.0
    0.5
    -40
    0
    40
    80
    120
    160
    200
    0.0
    -80
    -40
    T
    J
    ，结温（
    o
    C)
    160
    120
    0
    40
    80
    T
    J
    ，结温（
    o
    C)
    200
    图7.归ř
    DS （ ON）
    VS结温
    图8.归栅极阈值电压Vs
    温度
    1.2
    功耗乘法器
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0.0
    0
    25
    BV
    DSS
    归一化
    漏极至源极击穿电压
    I
    D
    = 250µA
    2.0
    1.5
    1.0
    0.5
    0.0
    -80
    -40
    0
    40
    80
    120
    (
    o
    C)
    160
    200
    T
    J
    ，结温
    125
    50
    75
    100
    T
    C
    ，外壳温度（
    o
    C)
    150
    175
    图9.归一漏源击穿
    电压与温度
    图10.归功耗与
    温度降额曲线
    V
    DS
    ，漏源电压（ V）
    V
    DD
    = BV
    DSS
    45
    V
    DD
    = BV
    DSS
    3.75
    C，电容（pF ）
    1500
    C
    国际空间站
    30
    0.75 BV
    DSS
    0.50 BV
    DSS
    0.25 BV
    DSS
    0.75 BV
    DSS
    0.50 BV
    DSS
    0.25 BV
    DSS
    2.50
    1000
    500
    C
    OSS
    C
    RSS
    15
    R
    L
    = 2.0
    Ω
    I
    G（ REF ）
    = 0.62毫安
    V
    GS
    = 5V
    I
    G（ REF ）
    I
    G（ ACT ）
    T，时间（S ）
    I
    G（ REF ）
    I
    G（ ACT ）
    1.25
    0
    0
    0
    10
    15
    20
    5
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    25
    20
    80
    0.00
    图11.典型电容VS漏 - 源
    电压
    图12.归一化开关波形
    恒定的栅极电流。 REFER哈里斯
    应用笔记AN7254和AN7260
    5-48
    V
    GS
    ，门源极电压（ V）
    2000
    V
    GS
    = 0V ， F = 1MHz的
    60
    5.00

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