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RF1S30N06LE 参数 Datasheet PDF下载

RF1S30N06LE图片预览
型号: RF1S30N06LE
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内容描述: 30A , 60V , ESD额定额定雪崩,逻辑电平N沟道增强型功率MOSFET [30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 95 K
品牌: HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
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RFP30N06LE , RF1S30N06LE , RF1S30N06LESM
为RFP30N06LE温度补偿PSPICE模型, RF1S30N06LE ,
RF1S30N06LESM
SUBCKT RFP30N06LE 2 1 3 ;
CA 12 8 1 3.34e - 9
CB 15 14 3.44e - 9
CIN 6 8 0 1.343e - 9
DBODY 7 5 DBDMOD
DBREAK 5月11日DBKMOD
DESD1 91 9 DESD1MOD
DESD2 91 7 DESD2MOD
DPLCAP 10 5 DPLCAPMOD
EBREAK 11 7 17 18 75.39
EDS 14 8 5 8 1
EGS 13 8 6 8 1
ESG 6 10 6 8 1
EVTO 20 6 18 8 1
ESG
+
VTO ​​+
-
1
EVTO
20 + 18
-
9
8
LGATE RGATE
DESD1
91
DESD2
6
16
21
MOS1
CIN
8
RSOURCE
7
LSOURCE
3
来源
MOS2
转速93年6月2日
DPLCAP
10
RSCL2
5
2
LDRAIN
RSCL1
+ 51
DBREAK
11
EBREAK
+
17
18
DBODY
-
6
8
5
51
ESCL
50
RDRAIN
-
IT 8 17 1
LDRAIN 2 5 1E- 9
LGATE 1 9 7.22e - 9
LSOURCE 3 7 6.31e - 9
MOS1 16 6 8 8 MOSMOD M = 0.99
MOS2 16 21 8 8 MOSMOD M = 0.01
RBREAK 17 18 RBKMOD 1
RDRAIN 50 16 RDSMOD 11.86e - 3
RGATE 9 20 2.52
RIN 6 8 1E9
RSCL1 5 51 RSLVCMOD 1E- 6
RSCL2 5 50 1E3
RSOURCE 8 7 RDSMOD 26.6e - 3
RVTO 18 19 RVTOMOD 1
S1A 6 12 13 8 S1AMOD
S1B 13 12 13 8 S1BMOD
S2A 6 15 14 13 S2AMOD
S2B 13 15 14 13 S2BMOD
VBAT 8月19日DC 1
VTO ​​21 6 0.5
S1A
12
S1B
CA
EGS
13
8
14
13
S2A
15
S2B
13
+
6
8
EDS
CB
+
5
8
14
IT
RBREAK
17
18
RVTO
19
VBAT
+
-
-
ESCL 51 50值= { (V ( 5,51 ) / ABS ( V( 5,51 ) ) )*( PWR (V ( 5,51 ) * 1e6个/ 89,7 ) )
.MODEL DBDMOD D( IS = 3.80e - 13 RS = 1.12e - 2 TRS1 = 1.61e - 3 TRS2 = 6.08e - 6 CJO = 1.05E - 9 TT = 3.84e - 8 )
.MODEL DBKMOD D( RS = 1.82e - 1 TRS1 = 7.50e - 3 TRS2 = -4.0e - 5 )
.MODEL DESD1MOD D( BV = 13.54 TBV1 = 0 TBV2 = 0, RS = 45.5 TRS1 = 0 TRS2 = 0 )
.MODEL DESD2MOD D( BV = 11.46 TBV1 = -7.576e - 4 TBV2 = -3.0e - 6 RS = 0 TRS1 = 0 TRS2 = 0 )
.MODEL DPLCAPMOD D( CJO = 0.591e -9 IS =为1e- 30 ,N = 10)的
.MODEL MOSMOD NMOS ( VTO = 1.94 KP = 139.2 IS = 1E - 30 ,N = 10 TOX = 1 L = 1U W = 1U)
.MODEL RBKMOD RES ( TC1 = 1.07E - 3 TC2 = -3.03e - 7 )
.MODEL RDSMOD RES ( TC1 = 5.38e - 3 TC2 = 1.64e - 5 )
.MODEL RSLVCMOD RES ( TC1 = 1.75e - 3 TC2 = 3.90e - 6 )
.MODEL RVTOMOD RES ( TC1 = -2.15e - 3 TC2 = -5.43e - 6 )
.MODEL S1AMOD VSWITCH ( RON = 1E - 5 ROFF = 0.1 VON = -4.05 VOFF = -1.5 )
.MODEL S1BMOD VSWITCH ( RON = 1E - 5 ROFF = 0.1 VON = -1.5 VOFF = -4.05 )
.MODEL S2AMOD VSWITCH ( RON = 1E - 5 ROFF = 0.1 VON = -2.2 VOFF = 2.8 )
.MODEL S2BMOD VSWITCH ( RON = 1E - 5 ROFF = 0.1 VON = 2.8 VOFF = -2.2 )
.ENDS
注:对于PSPICE模型的进一步讨论,请参阅
一种新的PSPICE子电路的功率MOSFET拥有全球
温度选项;
IEEE电力电子专家会议记录1991 。
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