欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SK3157 参数 Datasheet PDF下载

2SK3157图片预览
型号: 2SK3157
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管脉冲电源开关局域网
文件页数/大小: 9 页 / 54 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第9页  
2SK3157
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
Reverse Drain Current I
DR
(A)
16
V
GS
= 10 V
Repetitive Avalanche Energy E
AR
(mJ)
20
50
I
AP
= 20 A
V
DD
= 50 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
Maximun Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
40
12
30
8
5V
0, –5 V
20
4
10
0
25
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
50
75
100
125
150
Source to Drain Voltage
V
SD
(V)
Channel Temperature Tch (°C)
Avalanche Test Circuit
E
AR
=
Avalanche Waveform
1
2
• L • I
AP
2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
DS
Monitor
L
I
AP
Monitor
V
(BR)DSS
I
AP
V
DD
I
D
V
DS
Rg
Vin
15 V
D. U. T
50Ω
0
V
DD
6