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    2SK3157 参数 Datasheet PDF下载

    2SK3157图片预览
    型号： 2SK3157
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    内容描述： 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关晶体管脉冲电源开关局域网
    文件页数/大小： 9 页 / 54 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SK3157的Datasheet PDF文件第9页  
    2SK3157
    Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
    3
    Normalized Transient Thermal Impedance
    γ
    s (t)
    Tc = 25°C
    1
    D=1
    0.5
    0.3
    0.2
    0.1
    0.1
    0.05
    0.02
    1
    0.0
    θ
    ch – c(t) =
    γ
    s (t) •
    θ
    ch – c
    θ
    ch – c = 3.57°C/W, Tc = 25°C
    PDM
    D=
    PW
    T
    0.03
    PW
    T
    0.01
    10 µ
    1s
    ho
    u
    tp
    lse
    100 µ
    1m
    10 m
    100 m
    Pulse Width PW (S)
    1
    10
    Switching Time Test Circuit
    Vin Monitor
    D.U.T.
    R
    L
    Vin
    Vin
    10 V
    50Ω
    V
    DD
    = 30 V
    Vout
    10%
    10%
    Vout
    Monitor
    Waveform
    90%
    10%
    90%
    td(off)
    t
    f
    90%
    td(on)
    tr
    7

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