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    2SJ317 参数 Datasheet PDF下载

    2SJ317图片预览
    型号： 2SJ317
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅P沟道MOS场效应管 [Silicon P-Channel MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 41 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SJ317的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SJ317的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SJ317的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SJ317的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ317的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SJ317的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SJ317的Datasheet PDF文件第8页  
    2SJ317
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    漏电流峰值
    体漏二极管的反向漏电流
    散热通道
    通道温度
    储存温度
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    *
    1
    I
    DR
    PCH *
    2
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    –12
    –7
    ±2
    ±4
    2
    1
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    °C
    °C
    注意事项： 1， PW
    ≤
    100
    µs,
    占空比
    ≤
    10%
    2.值在氧化铝陶瓷基板（ 12.5 ×20× 0.7mm）上。
    3.标示为“NY” 。
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源击穿
    电压
    栅源击穿
    电压
    门源截止电流
    符号最小值
    V
    （ BR ） DSS
    V
    （ BR ） GSS
    I
    GSS
    –12
    ±7
    —
    —
    –0.4
    —
    —
    1.0
    —
    —
    —
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    —
    0.4
    0.28
    2.3
    63
    180
    23
    500
    2860
    最大
    —
    —
    ±5
    –1
    –1.4
    0.7
    0.35
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    单位
    V
    V
    µA
    µA
    V
    Ω
    Ω
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    I
    D
    = –0.2 A*
    1
    ， VIN = -4 V ，
    R
    L
    = 51
    Ω
    测试条件
    I
    D
    = -1毫安，V
    GS
    = 0
    I
    G
    =
    ±10 µA,
    V
    DS
    = 0
    V
    GS
    =
    ±6.5
    V, V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = –8 V, V
    GS
    = 0
    I
    D
    = –100
    µA,
    V
    DS
    = –5 V
    I
    D
    = –0.5 A*
    1
    , V
    GS
    = –2.2 V
    I
    D
    = –1 A*
    1
    , V
    GS
    = –4 V
    I
    D
    = –1 A*
    1
    , V
    DS
    = –5 V
    V
    DS
    = –5 V, V
    GS
    = 0,
    F = 1 MHz的
    零栅极电压漏极电流I
    DSS
    门源截止电压
    静态漏源导通状态
    阻力
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    注意：
    1.脉冲测试
    V
    GS （ OFF ）
    R
    DS(on)1
    R
    DS(on)2
    |y
    fs
    |
    西塞
    科斯
    CRSS
    t
    on
    t
    关闭
    2

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