2SJ317 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SJ317
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内容描述：	硅P沟道MOS场效应管 [Silicon P-Channel MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 41 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SJ317

最高可耗散功率曲线

信道功率耗散P沟道（W ）

（在aluminam陶瓷板）

2.0

(A)

最高可安全工作区

–10

–3

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

PW = 1毫秒

1次射门

1.5

–1

–0.3

–0.1

1.0

0.5

100

150

200

环境温度Ta （C ）

典型的输出特性

–5

(A)

–4

–3

–5

–2.5

漏电流

（T PE

C = RA

25蒂奥

℃正

)

–0.03

TA = 25°C

–0.01

–0.1 –0.3 –1.0 –3

–10 –30 –100

漏极至源极电压V

(V)

典型的正向传输特性

TA = -25°C

脉冲测试

–2

(A)

–4

25°C

–3

75°C

–3

漏电流

–2

–1.5

漏电流

–2

–1

= –1 V

–2

–4

–6

漏源极电压

–10

(V)

–8

–1

= –5 V

脉冲测试

–1

–2

–3

栅极至源极电压

–4

(V)

–5

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