2SJ317 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SJ317
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内容描述：	硅P沟道MOS场效应管 [Silicon P-Channel MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 41 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SJ317

反向恢复时间对比

反向漏电流

2000

反向恢复时间trr （ NS ）

1000

500

2000

1000

T（ NS ）

TD （关闭）

500

开关时间与漏电流

开关时间

200

100

的di / dt = 10A / μs的

= 0

= –4 V

200 V

= –10 V

PW = 5微秒

占空比

＆ LT ;

1 %

100

TD （上）

–0.1 –0.2

–0.5 –1.0 –2

–5 –10

反向漏电流I

(A)

–0.05 –0.1 –0.2

–0.5 –1 –2

漏电流I

(A)

–5

动态输入特性

–25

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

= –10 V

= –2 A

-20脉冲测试

–15

–10

典型的电容比。

漏源极电压

1000

C（ pF）的

500

200

100

西塞

CRSS

科斯

= 0

F = 1 MHz的

–8

–10

–4

–5

栅极电荷

QG （ NC ）

–2

典型电容

–6

–0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2

–5 –10

漏极至源极电压V

(V)

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