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2SK1304 参数 Datasheet PDF下载

2SK1304图片预览
型号: 2SK1304
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 9 页 / 53 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SK1304
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
符号最小值
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
100
±20
1.0
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
注意:
1.脉冲测试
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
22
典型值
0.025
0.03
35
3500
1400
340
25
170
730
300
1.2
300
最大
±10
250
2.0
0.03
0.04
单位
V
V
µA
µA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 40 A,V
GS
= 0
I
F
= 40 A,V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 50 A / μs的
I
D
= 20 A,V
GS
= 10 V,
R
L
= 1.5
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
±100 µA,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安, V
DS
= 10 V
I
D
= 20 A,V
GS
= 10 V *
1
I
D
= 20 A,V
GS
= 4 V *
1
I
D
= 20 A,V
DS
= 10 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
零栅极电压漏极电流I
DSS
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
3