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2SK1304 参数 Datasheet PDF下载

2SK1304图片预览
型号: 2SK1304
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 9 页 / 53 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SK1304
漏极至源极饱和电压V
DS ( ON)
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
2.0
脉冲测试
50 A
1.2
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
0.5
脉冲测试
0.2
0.1
0.05
V
GS
= 4 V
10 V
0.02
0.01
0.005
2
5
10 20
50 100
漏电流I
D
(A)
200
1.6
0.8
20 A
0.4
I
D
= 10 A
0
4
2
6
8
栅极至源极电压V
GS
(V)
10
静态漏源导通状态
电阻与温度
静态漏极至源极通态电阻
R
D
S( ON)的
(Ω)
正向转移导纳
yfs
(S)
0.10
脉冲测试
I
D
= 50 A
0.06
V
GS
= 4 V
20 A
10 A
0.04
50 A
20 A
10 A
V
GS
= 10 V
50
正向转移导纳
与漏电流
0.08
20
10
5
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
2
1.0
0.02
V
GS
= 10 V
脉冲测试
0
–40
0
80
120
40
案例温度T
C
(°C)
160
0.5
1.0
2
5
10
20
漏电流I
D
(A)
50
5