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2SK1304 参数 Datasheet PDF下载

2SK1304图片预览
型号: 2SK1304
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 9 页 / 53 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SK1304
体漏二极管反向
恢复时间
500
反向恢复时间吨
rr
(纳秒)
200
100
50
20
10
5
0.5
10
2
1.0
10
20
5
反向漏电流I
DR
(A)
50
0
10
30
40
20
漏极至源极电压V
DS
(V)
50
的di / dt = 50A / μs的,TA = 25℃
V
GS
= 0
脉冲测试
10,000
西塞
电容C (PF )
典型的电容比。
漏源极电压
1,000
科斯
CRSS
100
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
动态输入特性
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
V
DS
V
DD
= 25 V
50 V
80 V
60
V
DD
= 80 V
50 V
25 V
20
I
D
= 40 A
4
V
GS
12
20
栅极至源极电压V
GS
(V)
1,000
开关特性
t
D(关闭)
500
开关时间t( NS )
t
f
200
100
50
t
D(上)
20
10
0.5
V
GS
= 10 V V
DD
= 30 V
PW = 2
µs,
值班< 1 %
80
16
t
r
40
8
0
0
40
120
160
80
栅极电荷Qg ( NC )
200
1.0
10
5
20
漏电流I
D
(A)
2
50
6