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2SK1342 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SK1342
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 9 页 / 52 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SK1342
功率与温度降额
150
通道耗散P沟(W)的
50
20
漏电流I
D
(A)
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
1
10
100 300 1,000
3
30
漏极至源极电压V
DS
(V)
TA = 25°C
i
(上
th
在研发
DS
n
蒂奥通过
镭特德
E I
欧普LIM
is
r
sa
ea
)
最高安全工作区
10
0
10
µ
s
µ
s
100
1
)
)
ot
C
Sh
(1
= 2
s
m
(T
C
n
10
=
ATIO
r
PW
pe
O
C
m
D
s
50
典型的输出特性
10
10 V
8
漏电流I
D
(A)
5V
6
6V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
10
典型的传输特性
8
V
DS
= 20 V
脉冲测试
6
4
4.5 V
4
75°C
T
C
= 25°C
2
V
GS
= 4 V
2
–25°C
0
10
30
40
20
漏极至源极电压V
DS
(V)
50
0
2
6
8
4
栅极至源极电压V
GS
(V)
10
4