欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SK1342 参数 Datasheet PDF下载

2SK1342图片预览
型号: 2SK1342
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 9 页 / 52 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SK1342的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1342的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1342的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1342的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1342的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1342的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK1342的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SK1342的Datasheet PDF文件第9页  
2SK1342
漏极至源极饱和电压V
DS ( ON)
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
20
脉冲测试
16
I
D
= 10 A
12
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
5
V
GS
= 10 V
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.2
脉冲测试
15 V
8
5A
4
2A
0
8
4
12
16
栅极至源极电压V
GS
(V)
20
0.5
1.0
5
2
漏电流I
D
(A)
10
20
静态漏源导通状态
电阻与温度
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
正向转移导纳
yfs
(S)
5
V
GS
= 10 V
脉冲测试
5A
I
D
= 10 A
2
2A
1
10
5
正向转移导纳
与漏电流
V
DS
= 20 V
脉冲测试
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
4
3
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0
–40
0
80
120
40
案例温度T
C
(°C)
160
0.1
2
0.2 0.5
1
漏电流I
D
(A)
5
5