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    2SK1342 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1342图片预览
    型号： 2SK1342
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 9 页 / 52 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK1342的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1342的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1342的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1342的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1342的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1342的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1342的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SK1342的Datasheet PDF文件第9页  
    2SK1342
    反向漏电流 -
    水稻源漏极电压
    10
    反向Dratin电流I
    DR
    (A)
    脉冲测试
    8
    6
    4
    2
    5 V, 10 V
    V
    GS
    = 0, –5 V
    0
    0
    2.0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    源极到漏极电压V
    SD
    (V)
    归瞬态热阻抗
    γ
    S
    (t)
    归瞬态热阻抗与脉冲宽度
    3
    D=1
    1.0
    0.5
    0.3
    0.1
    0.2
    T
    C
    = 25°C
    0.1
    0.05
    θch -C
    (t) =
    γ
    S
    (t) ·
    θch -C
    θch -C
    = 1.25 ° C / W ，T
    C
    = 25°C
    P
    DM
    PW
    1
    D = PW
    T
    0.02
    0.03
    1
    0.0
    脉冲
    热
    1S
    T
    100
    µ
    1m
    10 m
    脉冲宽度PW （S ）
    100 m
    0.01
    10
    µ
    10
    开关时间测试电路
    输入电压监视器
    波形
    90%
    VOUT监控
    D.U.T
    R
    L
    50
    Ω
    VIN
    10 V
    V
    DD
    .
    = 30 V
    .
    VIN
    VOUT
    10%
    10%
    90%
    90%
    t
    D（关闭）
    t
    f
    10%
    t
    D（上）
    t
    r
    7

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