2SK973 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK973
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 44 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SK973 L， 2SK973 S

功率与温度降额

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

(A)

最高安全工作区

S（O

n个R

蒂奥ÿ

RA B

PE资讯科技教育

1.0

LIM

µs

)

ATI

0.3

0.1

TA = 25°C

°C

)

100

150

0.05

0.1

案例温度T

(°C)

0.3

1.0

100

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

10 V

3.5 V

脉冲测试

典型的传输特性

–25°C

漏电流I

(A)

= 10 V

脉冲测试

75°C

= 25°C

漏电流I

(A)

2.5 V

= 2 V

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案