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    2SK973 参数 Datasheet PDF下载

    2SK973图片预览
    型号： 2SK973
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 44 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK973的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK973的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK973的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK973的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK973的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK973的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK973 L， 2SK973 S
    体漏二极管反向
    恢复时间
    500
    反向恢复时间吨
    rr
    （纳秒）
    的di / dt = 50A / μs的，TA = 25℃
    V
    GS
    = 0
    脉冲测试
    1000
    300
    电容C （PF ）
    100
    30
    10
    3
    1
    0.5 1.0
    2
    5
    10
    反向漏电流I
    DR
    (A)
    20
    0
    典型的电容比。
    漏源极电压
    V
    GS
    = 0
    F = 1 MHz的
    西塞
    科斯
    200
    100
    50
    CRSS
    20
    10
    5
    0.2
    10
    20
    50
    30
    40
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    动态输入特性
    100
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    80
    V
    DD
    = 50 V
    25 V
    60
    V
    DS
    40
    20
    V
    DD
    = 50 V
    25 V
    10 V
    2
    V
    GS
    I
    D
    = 2 A
    8
    4
    10 V
    12
    20
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    16
    100
    开关特性
    t
    D（关闭）
    50
    开关时间t（ NS ）
    t
    f
    20
    t
    r
    10
    5
    t
    D（上）
    2
    1
    0.05
    V
    GS
    = 10 V
    PW = 2μs内，值班< 1 ％
    0.1
    0.5 1.0
    0.2
    2
    漏电流I
    D
    (A)
    5
    0
    4
    6
    8
    栅极电荷Qg （ NC ）
    0
    10

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