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HAT1024R 参数 Datasheet PDF下载

HAT1024R图片预览
型号: HAT1024R
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内容描述: 硅P沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 56 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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HAT1024R
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
PCH
Note2
PCH
Note3
总胆固醇
TSTG
评级
–30
±20
–3.5
–28
–3.5
2
3
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
体漏二极管的反向漏电流I
DR
散热通道
散热通道
通道温度
储存温度
注意:
1. PW
为10μs ,占空比
1 %
2. 1驱动器操作:当使用玻璃环氧板( FR4 40 ×40× 1.6毫米) , PW≤ 10秒
3. 2驱动器的操作:当使用玻璃环氧板( FR4 40 ×40× 1.6毫米) , PW≤ 10秒
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