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HAT1024R 参数 Datasheet PDF下载

HAT1024R图片预览
型号: HAT1024R
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内容描述: 硅P沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 56 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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HAT1024R
归瞬态热阻抗与脉冲宽度( 1驱动器操作)
10
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
u
tp
LSE
θ
沟道 - F(T) =
γ
S( T) •
θ
CH - ˚F
θ
CH - F = 125
° C / W ,
TA = 25
°C
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40x40x1.6毫米)
PDM
PW
T
0.001
h
1s
o
D=
PW
T
0.0001
10
µ
100
µ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
脉冲宽度PW (S )
10
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
归瞬态热阻抗与脉冲宽度( 2驱动器操作)
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
e
ULS
tp
0.01
θ
沟道 - F(T) =
γ
S( T) •
θ
CH - ˚F
θ
CH - F = 166
° C / W ,
TA = 25
°C
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40x40x1.6毫米)
PDM
PW
T
0.001
ho
1s
D=
PW
T
0.0001
10
µ
100
µ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
脉冲宽度PW (S )
8