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HAT1024R 参数 Datasheet PDF下载

HAT1024R图片预览
型号: HAT1024R
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内容描述: 硅P沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 56 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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HAT1024R
体漏二极管的反向
恢复时间
500
反向恢复时间trr ( NS )
200
100
50
10000
3000
1000
300
100
CRSS
30
10
0
–10
–20
–30
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
–40
–50
漏极至源极电压V
DS
(V)
西塞
科斯
典型的电容比。
漏源极电压
20
10
的di / dt = 20A /
µs
V
GS
= 0 , TA = 25
°C
5
–5 –10
–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2
反向漏电流I
DR
(A)
电容C (PF )
动态输入特性
V
DS
(V)
反向漏电流I
DR
(A)
V
DD
= –5 V
–10 V
–25 V
V
GS
(V)
0
0
–20
反向漏电流 -
Souece漏极电压
–10
–4
–16
V
GS
= –5 V
–12
0, 5 V
漏源极电压
–20
V
DS
V
DD
= –25 V
–10 V
–5 V
V
GS
–8
–30
–12
栅极至源极电压
–8
–40
–16
–20
20
–4
脉冲测试
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
–50 I
D
= –3.5 A
0
4
8
12
16
栅极电荷Qg ( NC )
6