绝对最大额定值
（无需降额高达+ 125°C ）
存储温度范围，T
S
.................................. -65 ° C至+ 150°C
工作温度，T
A
......................................... -55 ° C至+ 125°C
外壳温度，T
C
................................................................ +170°C
结温，T
J
.......................................................... +175°C
无铅焊锡温度.............................................. 260 °下10秒
平均正向电流，I
˚F AVG
（每个通道） ........................ 10毫安
峰值输入电流，I
˚F PK
（每个通道） ............................... 20毫安
[1]
反向输入电压，V
R
（每个通道） ....................................... 3 V
电源电压，V
CC
............................................. 0.0 V分钟， 7.0 V最大。
平均输出电流，我
O
............................ -25毫安分钟，最多25毫安。
（每个通道）
输出电压V
O
（每个通道） ..................... -0.5 V分钟， 10 V最大。
输出功率耗散，P
O
（每个通道） ........................... 130毫瓦
封装功耗，P
D
（每个通道） ......................... 200毫瓦
单通道产品只
三态使能电压，V
E
........................... -0.5 V分钟， 10 V最大。
8引脚陶瓷DIP封装的单通道示意图
阳极
V
E
V
O
阴极
注意使能引脚7外接0.01
µF
0.1
µF
旁路电容器必须连接
V之间
CC
和地面每个封装类型。
ESD分类
（ MIL -STD -883方法3015 ）
HCPL - 5400 / 01 ............................................. ..................... （ ΔΔ ） ，第2类
HCPL -三十一分之五千四百三十○和HCPL-三十一分之六千四百三十〇 ................................. （点） ， 3级
推荐工作条件
参数
输入电流（高）
电源电压，输出
输入电压（低）
扇出（每通道）
符号
I
F（上）
V
CC
V
F（关闭）
N
分钟。
6
4.75
–
–
马克斯。
10
5.25
0.7
5
单位
mA
V
V
TTL负载
单通道产品只
高级别启用电压
V
EH
低电平使能电压
V
EL
2.0
0
V
CC
0.8
V
V
1-528
HP [ AGILENT(HEWLETT-PACKARD) ]
