H2305N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	H2305N
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内容描述：	P沟道增强型MOSFET （ -20V ， -4.5A ） [P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.5A)]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 210 K
品牌：	HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]

HI- SINCERITY

微电子股份有限公司。

电气特性

= 25 ℃，除非另有说明）

符号

•

STATIC

DSS

漏源击穿电压

= 0V时，我

=-250uA

参考25 ℃ ，

ID=-1mA

= -4.5V ，我

=-2.8A

DS （ ON）

漏源导通电阻

= -2.5V ，我

=-2A

= -1.8V ，我

=-1A

GS （ TH）

DSS

GSS

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流（ TJ = 25℃时）

零栅极电压漏极电流（ TJ = 55℃ ）

门体漏电流

正向跨导

, I

=-250uA

=-20V, V

=0V

=-16V, V

=0V

=±8V, V

=0V

= -5V ，我

=-2.8A

-0. 45

-20

特征

测试条件

分钟。

规格。编号： MOS200807

发行日期： 2008.11.12

修订日期： 2009,12,15

页页次： 2/5

典型值。

马克斯。

单位

-0.1

ΔBVDSS / ΔTJ

击穿电压温度系数

V/℃

108

-1

-10

mΩ

9.0

±100

•

漏源二极管的特性

漏源二极管的正向电压

= 0V时，我

=-1.2A

-1.2

注：脉冲测试：脉冲宽度

≤300us,

值班Cycle≤2 ％

H2305N

HSMC产品规格

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