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H2305N 参数 Datasheet PDF下载

H2305N图片预览
型号: H2305N
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内容描述: P沟道增强型MOSFET ( -20V , -4.5A ) [P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.5A)]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 210 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
SOT- 23外形尺寸
标记:
规格。编号: MOS200807
发行日期: 2008.11.12
修订日期: 2009,12,15
页页次: 4/5
A
L
2 3 0 5
3
B·S
1
2
无铅: " "
(注)
普通:无
无铅标志
V
G
注意:无铅产品可以通过区分
绿色标签或在额外的说明
右侧的标签。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
分钟。
2.80
1.20
0.89
0.30
1.70
0.013
0.085
0.32
0.85
2.10
0.25
马克斯。
3.04
1.60
1.30
0.50
2.30
0.10
0.177
0.67
1.15
2.75
0.65
* :典型,单位:mm
C
D
H
3引脚SOT- 23塑料
表面贴装封装
HSMC包装代码:N
K
J
插针形式: 1.Gate 2.Source 3.Drain
材质:
铅焊料镀层:近共晶Sn60 / Pb40软(普通)
SN / 3.0Ag / 0.5Cu的或纯锡(无铅)
模具化合物:环氧树脂系列,
易燃固体燃烧等级: UL94V- 0
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不HSMC的事先书面批准。
HSMC保留随时修改其产品,恕不另行通知。
HSMC半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
HSMC自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
总公司
(高诚微电子公司) : 10F ,没有。 61 ,秒。 2 ,中山北路。台北台湾中华民国
联系电话: 886-2-25212056传真: 886-2-25632712 , 25368454
H2305N
HSMC产品规格