HIRF730F 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HIRF730F
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内容描述：	N沟道功率MOSFET [N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 49 K
品牌：	HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]

HI- SINCERITY

微电子股份有限公司。

电气特性

= 25 ℃，除非另有规定）

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSSF

GSSR

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

特征

漏源击穿电压（V

= 0V时，我

=250uA)

漏极 - 源极漏电流（V

=400V, V

=0V)

漏极 - 源极漏电流（V

=320V, V

= 0V ，T

=125°C)

门源漏电流，正向（V

GSF

=20V, V

=0V)

门源漏电流，反向（V

GSR

=-20V, V

=0V)

栅极阈值电压（V

, I

=250uA)

静态漏源导通电阻（V

= 10V ，我

=3.3A)(*4)

正向跨导（V

= 50V ，我

=3.3A)(*4)

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 320V ，我

= 3.5A ，V

=10V)

(*4)

= 200V ，我

= 3.5A ，R

=12Ω,

=57Ω)(*4)

=25V, V

= 0V ， F = 1MHz的

规格。编号： MOS200406

发行日期： 2004年10月1日

修订日期： 2005年4月22日

页页次： 2/4

分钟。

400

典型值。

700

170

4.5

7.5

马克斯。

100

-100

5.7

单位

Ω

2.9

内部排水电感（从漏测铅0.25 “，从

包到模具的中心）

内部源极电感（从漏测铅0.25 “，从

包源焊盘）

* 4 ：脉冲测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％

源极 - 漏极二极管

符号

反向恢复电荷

向前开启时间

反向恢复时间

二极管的正向电压

= 5.5A ，V

= 0V ，T

=25°C (*4)

= 3.5A ，D

= 100A / us的，T

=25°C

(*4)

特征

分钟。

典型值。

1.8

270

MAX 。单位

2.2

530

1.6

** ：可忽略的，占主导地位的电路中电感

HIRF730 ， HIRF730F

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