HIRF730F 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HIRF730F
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道功率MOSFET [N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 49 K
品牌：	HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]

HI- SINCERITY

微电子股份有限公司。

焊接方法HSMC的产品

1.存储环境：温度= 10

C~35

C湿度为65 ％ ± 15 ％

表面贴装器件2.回流焊

图1 ：温度曲线

斜升

最大

温度

规格。编号： MOS200406

发行日期： 2004年10月1日

修订日期： 2005年4月22日

页页次： 4/4

关键区域

给T

民

预热

减速

t 25

C到峰值

时间

廓特征

平均升温速率（T

给T

)

预热

- 最低温度（ TS

民

)

- 温度最高（ TS

最大

)

- 时间（min到最大）（TS）的

在Tsmax至T

- 升温速率

时间保持高于：

- 温度（T

)

- 时间（t

)

峰值温度（T

)

在5个时间

实际的峰值了C

温度（T

)

下降斜率

25时

C到峰值温度

3.流（波）焊接（焊接浸渍）

制品

铅设备。

无铅器件。

的Sn -Pb共晶组件

C /秒

100

150

60 〜 120秒

C /秒

183

60-150秒

240

C +0/-5

10〜 30秒

C /秒

<6分钟

无铅封装

C /秒

150

200

60 〜 180秒

C /秒

217

60-150秒

260

C +0/-5

20〜 40秒

C /秒

<8分钟

峰值温度

245

±5

260

C +0/-5

浸渍时间

5sec

±1sec

5sec

±1sec

HIRF730 ， HIRF730F

HSMC产品规格

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案