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    XP151A13COMR 参数 Datasheet PDF下载

    XP151A13COMR图片预览
    型号： XP151A13COMR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 20 V的N沟道增强型MOSFET [20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 2258 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号XP151A13COMR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号XP151A13COMR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号XP151A13COMR的Datasheet PDF文件第4页  
    XP151A13COMR
    20V N沟道增强型MOSFET
    电气特性
    参数
    STATIC
    漏源击穿电压
    漏源导通电阻
    栅极阈值电压
    零栅极电压漏极电流0
    门体漏
    正向跨导
    动态
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    源极 - 漏极二极管
    马克斯。二极管的正向电流
    二极管的正向电压
    1)
    1)
    1)
    符号
    测试条件
    分钟。
    典型值。
    Miax 。
    单位
    BV
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =为10uA
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 3.6A
    V
    GS
    = 2.5V ，我
    D
    = 3.1A
    20
    70
    85
    0.6
    1
    o
    V
    85
    mΩ
    115
    V
    uA
    10
    ±100
    10
    nA
    S
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    I
    GSS
    g
    fs
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    = 250uA
    V
    DS
    = 16V, V
    V
    DS
    = 20V, V
    GS
    GS
    = 0V
    = 0V TJ = 55
    C
    V
    GS
    = ± 8V, V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = 5V ，我
    D
    = 3.6A
    Q
    g
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 3.6A
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    V
    DS
    = 10V, V = 0V
    GS
    C
    OSS
    F = 1.0 MHz的
    C
    RSS
    I
    D
    ^
    3.6A,V
    根
    = 4.5V
    R
    G
    = 6
    Ω
    V
    DD
    = 10V ，RL = 5.5
    Ω
    V
    GS
    = 4.5V
    5.4
    0.65
    1.6
    12
    36
    34
    10
    340
    115
    33
    10
    nC
    25
    60
    ns
    60
    25
    pF
    I
    S
    V
    SD
    I
    S
    = 1.6A ，V
    GS
    1.6
    A
    V
    = 0V
    1.2
    脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，值班cycle< = 2 ％
    ２
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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