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    XP151A13COMR 参数 Datasheet PDF下载

    XP151A13COMR图片预览
    型号： XP151A13COMR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 20 V的N沟道增强型MOSFET [20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 2258 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号XP151A13COMR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号XP151A13COMR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号XP151A13COMR的Datasheet PDF文件第4页  
    XP151A13COMR
    20V N沟道增强型MOSFET
    10
    输出特性
    V
    GS
    = 5通2.5 V
    10
    传输特性
    8
    I D - 漏电流（ A）
    I D - 漏电流（ A）
    2V
    6
    8
    6
    4
    4
    T
    C
    = 125_C
    2
    0, 0.5, 1 V
    1.5 V
    2
    25_C
    –55_C
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0
    0
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    导通电阻与漏电流
    0.15
    1000
    电容
    R DS（ON ） - 导通电阻（
    W
    )
    0.12
    V
    GS
    = 2.5 V
    0.09
    V
    GS
    = 4.5 V
    0.06
    Ç - 电容（pF ）
    800
    600
    400
    C
    国际空间站
    0.03
    200
    C
    RSS
    C
    OSS
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    I
    D
    - 漏极电流（ A）
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    5
    V
    DS
    = 10 V
    I
    D
    = 3.6 A
    V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
    栅极电荷
    1.8
    导通电阻与结温
    V
    GS
    = 4.5 V
    I
    D
    = 3.6 A
    R DS（ON ） - 导通电阻（
    W
    )
    （归一化）
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    4
    1.6
    1.4
    3
    1.2
    2
    1.0
    1
    0.8
    0
    0.6
    –50
    0
    50
    100
    150
    Q
    g
    - 总栅极电荷（ NC）
    T
    J
    =结温（ ° C）
    ３
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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