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GM71CS18163CLJ-7 参数 Datasheet PDF下载

GM71CS18163CLJ-7图片预览
型号: GM71CS18163CLJ-7
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内容描述: X16 EDO页模式DRAM\n [x16 EDO Page Mode DRAM ]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 114 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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GM71C18163C  
GM71CS18163CL  
Write Cycle  
GM71C(S)18163 GM71C(S)18163 GM71C(S)18163  
C/CL-5 C/CL-6 C/CL-7  
Unit Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
Write Command Setup Time  
Write Command Hold Time  
Write Command Pulse Width  
Write Command to RAS Lead Time  
Write Command to CAS Lead Time  
Data-in Setup Time  
14,21  
21  
0
7
7
7
7
0
7
-
-
-
-
-
-
-
0
10  
10  
10  
10  
0
-
-
-
-
-
-
-
0
13  
10  
13  
13  
0
-
-
-
-
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
WCS  
tWCH  
t
t
WP  
RWL  
CWL  
23  
t
15,23  
15,23  
tDS  
Data-in Hold Time  
10  
13  
tDH  
Read- Modify-Write Cycle  
GM71C(S)18163 GM71C(S)18163 GM71C(S)18163  
C/CL-5 C/CL-6 C/CL-7  
Unit  
Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
t
RWC  
RWD  
CWD  
AWD  
OEH  
Read-Modify-Write Cycle Time  
RAS to WE Delay Time  
111  
67  
-
-
-
-
-
136  
79  
-
-
-
-
-
161  
92  
-
-
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
14  
14  
14  
t
CAS to WE Delay Time  
30  
34  
40  
t
Column Address to WE Delay Time  
OE Hold Time from WE  
42  
49  
57  
t
13  
15  
18  
Refresh Cycle  
GM71C(S)18163 GM71C(S)18163 GM71C(S)18163  
C/CL-5 C/CL-6 C/CL-7  
Unit Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
tCSR  
CAS Setup Time  
(CAS-before-RAS Refresh Cycle)  
21  
5
-
5
-
5
-
ns  
t
CHR  
CAS Hold Time  
(CAS-before-RAS Refresh Cycle)  
22  
21  
7
5
-
-
10  
5
-
-
10  
5
-
-
ns  
ns  
RAS Precharge to CAS Hold Time  
tRPC  
Rev 0.1 / Apr’01