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HY57V643220DT-7 参数 Datasheet PDF下载

HY57V643220DT-7图片预览

型号：	HY57V643220DT-7
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内容描述：	4Banks X 512K X 32位同步DRAM [4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM]
分类和应用：	存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小：	13 页 / 219 K
品牌：	HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]

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HY57V643220D(L/S)T(P) Series

4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM

Note 1.

Vtt=1.4V

Vtt=1.4V

RT=500

Ω

RT=50

Ω

Output

30pF

Output

Z0 = 50Ω

30pF

DC Output Load Circuit

AC Output Load Circuit

DC CHARACTERRISTICS I

(T

A

= 0 to 70

o

C)

Parameter

Input Leakage Current

Output Leakage Current

Output High Voltage

Output Low Voltage

Note :

1. VIN = 0 to 3.6V, All other balls are not tested under VIN =0V

2. DOUT is disabled, VOUT=0 to 3.6

Symbol

I

LI

I

LO

V

OH

V

OL

Min

-1

-1

2.4

-

Max

1

1

-

0.4

Unit

uA

uA

V

V

Note

1

2

I

OH

= -2mA

I

OL

= +2mA

Rev. 0.3 / Sep. 2004

8

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