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HY57V64820HGTP-7 参数 Datasheet PDF下载

HY57V64820HGTP-7图片预览
型号: HY57V64820HGTP-7
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内容描述: 4银行X 2米x 8位同步DRAM [4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 82 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V64820HGTP
CAPACITANCE
(TA=25
°C
, f=1MHz)
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input capacitance
CLK
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS, CAS,
WE, DQM
C
I1
CI
2
2
2.5
4
5
pF
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ7
C
I/O
2
6.5
pF
OUTPUT LOAD CIRCUIT
Vtt=1.4V
RT=250
Output
Output
50pF
50pF
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
DC CHARACTERISTICS I
(TA=0 to 70
°C
, V
DD
=3.3
±
0.3V)
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output High Voltage
Output Low Voltage
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
-1
-1
2.4
-
1
1
-
0.4
uA
uA
V
V
1
2
I
OH
= -4mA
I
OL
= +4mA
Note :
1.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not tested under V
IN
=0V
2.D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6V
Rev. 0.1/ Nov. 03
5