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GM71V18163CT-6 参数 Datasheet PDF下载

GM71V18163CT-6图片预览
型号: GM71V18163CT-6
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内容描述: X16 EDO页模式DRAM\n [x16 EDO Page Mode DRAM ]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 115 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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GM71V18163C
GM71VS18163CL
DC电气特性
(V
CC
= 3.3V +/- 0.3V , VSS = 0V ,T
A
= 0 ~ 70C)
符号
V
OH
V
OL
I
CC1
参数
输出电平
输出"H"电平电压(I
OUT
= -2mA
)
输出电平
输出"L"电平电压(I
OUT
=
2
毫安)
工作电流
平均供电工作电流
( RAS , UCAS或LCAS自行车
:
t
RC
=
t
RC
分)
待机电流( TTL )
电源的待机电流
( RAS , UCAS , LCAS = V
IH
,
D
OUT
=
高-Z )
RAS只刷新当前
平均供电电流
RAS仅刷新模式
(t
RC
= t
RC
分)
EDO页面模式电流
平均供电电流
EDO页模式
(t
HPC
= t
HPC
分)
待机电流( CMOS )
电源的待机电流
( RAS , UCAS或LCAS > = V
CC
- 0.2V ,D
OUT
=高阻)
CAS先于RAS的刷新电流
(t
RC
= t
RC
分)
50ns
60ns
70ns
50ns
60ns
70ns
50ns
60ns
70ns
50ns
60ns
70ns
2.4
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
V
CC
0.4
190
170
150
2
190
170
150
185
165
145
1
150
190
170
150
400
单位
V
V
mA
1, 2
I
CC2
mA
I
CC3
mA
2
I
CC4
mA
1, 3
I
CC5
mA
uA
5
I
CC6
mA
I
CC7
备用电池工作电流(待机与CBR参考。 )
( CBR刷新,T
RC
=125us
,
t
RAS
& LT ;?
0.3
我们,
D
OUT
=
高-Z , CMOS接口)
待机电流RAS = V
IH
U
CAS , LCAS = V
IL
D
OUT
=
启用
自刷新模式电流
( RAS , UCAS或LCAS< = 0.2V
,
D
OUT
=
高-Z )
输入漏电流
任何输入( 0V
& LT ;?
V
IN
& LT ;?
4.6V)
输出漏电流
(D
OUT
为残疾人, 0V
& LT ;?
V
OUT
< = 4 。
6V)
uA
4,5
I
CC8
I
CC9
I
L( I)的
I
L( O)
-
-
-10
-10
5
250
10
10
mA
uA
uA
uA
1
5
注:1。我
CC
依赖于输出负载条件下,当被选择的设备。
I
CC
(最大)被指定在输出开状态。
2.地址可以一次或更少的改变,而RAS = V
IL
.
3.地址可以一次或更少的改变而LCAS和UCAS = V
IH
.
4. UCAS = L ( < = 0.2)和LCAS = L ( < = 0.2 ),而RAS = L ( < = 0.2) 。
5. L-版本。
修订版0.1 / Apr'01