GM71V18163C
GM71VS18163CL
写周期
符号
参数
写命令设置时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
数据的建立时间
数据保持时间
GM71V （S） - 18163 GM71V （S） - 18163 GM71V （S） - 18163
C/CL-6
C/CL-7
C/CL-5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
14,21
21
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
WCS
t
WCH
0
8
8
8
8
0
8
-
-
-
-
-
-
-
0
10
10
10
10
0
10
-
-
-
-
-
-
-
0
13
10
13
13
0
13
-
-
-
-
-
-
-
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
D
H
23
15,23
15,23
读 - 修改 - 写周期
符号
参数
读 - 修改 - 写周期时间
RAS以拖延时间
CAS以拖延时间
列地址来拖延时间
OE保持时间从WE
GM71V （S） - 18163 GM71V （S） - 18163 GM71V （S） - 18163
C/CL-5
C/CL-6
C/CL-7
单位
ns
ns
ns
ns
ns
记
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
111
67
30
42
13
-
-
-
-
-
136
79
34
49
15
-
-
-
-
-
161
92
40
57
18
-
-
-
-
-
14
14
14
刷新周期
符号
参数
CAS建立时间
（ CAS先于RAS的刷新周期）
CAS保持时间
（ CAS先于RAS的刷新周期）
RAS预充电到CAS保持时间
GM71V （S） - 18163 GM71V （S） - 18163 GM71V （S） - 18163
C/CL-5
C/CL-6
C/CL-7
单位
记
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
企业社会责任
t
CHR
t
RPC
5
8
5
-
-
-
5
10
5
-
-
-
5
10
5
-
-
-
ns
ns
ns
21
22
21
修订版0.1 / Apr'01
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
