GM71V18163C
GM71VS18163CL
EDO页面模式周期
符号
参数
EDO页模式周期时间
EDO页面模式RAS脉冲宽度
从CAS预充电时间访问
RAS保持时间从CAS预充电
输出数据保持时间从CAS低
CAS保持时间简称OE
CAS以OE建立时间
读命令保持时间
从CAS预充电
GM71V （S） - 18163 GM71V （S） - 18163 GM71V （S） - 18163
C/CL-5
C/CL-6
C/CL-7
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
25
16
9,17,22
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
HPC
t
RASP
t
ACP
t
RHCP
t
DOH
t
COL
t
COP
t
RCHP
20
-
-
30
3
8
5
30
-
100,000
25
-
-
35
3
10
5
35
-
100,000
30
-
-
40
3
13
5
40
-
100,000
30
-
-
-
-
-
35
-
-
-
-
-
40
-
9
EDO页面模式读取 - 修改 - 写周期
符号
参数
GM71V （S） - 18163 GM71V （S） - 18163 GM71V （S） - 18163
C/CL-5
C/CL-6
C/CL-7
单位
ns
ns
记
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
HPRWC
EDO页面模式读取 - 修改 - 写入
周期
57
45
-
-
68
54
-
-
79
62
-
-
t
CPW
我们延误时间从CAS预充电
14,22
刷新
符号
参数
GM71V （S） - 18163 GM71V （S） - 18163 GM71V （S） - 18163
C/CL-5
C/CL-6
C/CL-7
单位
记
1024
周期
1024
周期
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
REF
t
REF
刷新周期
刷新周期（L - 系列）
-
16
128
-
16
128
-
-
16
128
ms
ms
-
-
修订版0.1 / Apr'01
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
