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GM71VS18163CLT-6 参数 Datasheet PDF下载

GM71VS18163CLT-6图片预览
型号: GM71VS18163CLT-6
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内容描述: X16 EDO页模式DRAM\n [x16 EDO Page Mode DRAM ]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 115 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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GM71V18163C
GM71VS18163CL
读周期
符号
参数
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从地址访问时间
从OE访问时间
READ命令设置时间
读命令保持时间CAS
读命令保持时间RAS
列地址到RAS交货时间
列地址到CAS交货期
CAS到输出中低Z
输出数据保持时间
输出数据保持时间从OE
输出缓冲器关断时间
输出缓冲器关断时间,以OE
CAS到D
IN
延迟时间
读命令保持时间从RAS
输出数据保持时间从RAS
输出缓冲器关闭,以RAS
输出缓冲器关闭,以达到我们
我们到D
IN
延迟时间
RAS到D
IN
延迟时间
GM71V (S) - 18163 GM71V (S) - 18163 GM71V (S) - 18163
C/CL-5
C/CL-6
C/CL-7
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8,9
9,10,17
9,11,17
最小最大
最小值最大值最小值最大值
-
-
-
-
0
0
5
30
18
0
3
3
-
-
15
60
3
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15
15
60
15
30
15
-
-
-
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-
-
-
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15
15
-
-
-
15
15
-
-
-
-
-
-
0
0
5
35
23
0
3
3
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-
18
70
3
-
-
18
18
70
18
35
18
-
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-
-
-
-
-
15
15
-
-
-
15
15
-
-
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
OAC
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
t
CAL
t
CLZ
t
OH
t
OHO
t
关闭
t
OEZ
t
CDD
t
RCHR
t
高级代表办事处
t
OFR
t
WEZ
t
WDD
t
RDD
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0
0
5
25
15
0
3
3
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13
50
3
-
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13
13
50
13
25
13
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-
-
-
13
13
-
-
-
13
13
-
-
9
21
12,22
12
27
13,27
13
5
27
27
修订版0.1 / Apr'01