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GM71VS18163CLT-6 参数 Datasheet PDF下载

GM71VS18163CLT-6图片预览
型号: GM71VS18163CLT-6
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内容描述: X16 EDO页模式DRAM\n [x16 EDO Page Mode DRAM ]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 115 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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GM71V18163C
GM71VS18163CL
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ~ 70C)
符号
V
CC
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
3.0
2.0
-0.3
典型值
3.3
-
-
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
注意:称为Vss的全部电压。
与所有的VCC管脚的电源电压必须在相同的水平。所有VSS引脚的电源电压必须
在同一水平上。
真值表
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H到L
H到L
H到L
L
L
LCAS
D
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
H
L
L
H
L
UCAS
D
H
L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
H
L
H
L
WE
D
H
H
H
L
L
L
L
L
L
H到L
H到L
H到L
D
D
D
D
H
OE
D
L
L
L
D
D
D
H
H
H
的LtoH
的LtoH
的LtoH
D
D
D
D
H
产量
开放
有效
有效
有效
开放
开放
开放
未定义
未定义
未定义
有效
有效
有效
开放
开放
开放
开放
开放
手术
待机
低字节
高字节
低字节
高字节
低字节
高字节
低字节
高字节
CBR刷新
or
自刷新
( L系列)
RAS-只
刷新周期
读 - 修改
-write周期
延迟写入
周期
早期写周期
读周期
笔记
1,3
1,3
1,2,3
1,2,3
1,3
1,3
1,3
1,3
读周期
(禁止输出)
注意事项: 1, H:高(无效) L:低(有效) D: H或L
2.
t
WCS
> =为0ns早期的写周期
t
WCS
< =为0ns延迟写入周期
3.模式是通过UCAS和LCAS的OR函数来确定。 (模式由最早的设定
UCAS和LCAS有效边沿,并采用最新的UCAS和LCAS无效边沿的复位。 )不过
写操作和输出高阻控制独立地由每一个UCAS , LCAS实现。
前) ,如果RAS = H到L , UCAS = H, LCAS = L,则CAS先于RAS的刷新周期被选择。
修订版0.1 / Apr'01