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GM71VS18163CLT-6 参数 Datasheet PDF下载

GM71VS18163CLT-6图片预览
型号: GM71VS18163CLT-6
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内容描述: X16 EDO页模式DRAM\n [x16 EDO Page Mode DRAM ]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 115 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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GM71V18163C
GM71VS18163CL
自刷新模式( L-版本)
符号
参数
RAS脉冲宽度(自刷新)
RAS预充电时间(自刷新)
CAS保持时间(自刷新)
GM71VS18163
CL-5
GM71VS18163
CL-6
GM71VS18163
CL-7
单位
us
ns
ns
29
最小最大
最小值最大值最小值最大值
100
110
-50
-
-
-
100
130
-50
-
-
-
t
RASS
t
RPS
t
CHS
100
90
-50
-
-
-
注意事项:
1. AC测量假设吨
T
= 2纳秒。
2.权力后跟最少8完成初始化之后,需要的200us的初始暂停
化周期(含有RAS-只刷新或CAS先于RAS周期的任意组合
刷新) 。
3.操作用t
RCD
(最大值)限制确保了吨
RAC
(最大值)可以得到满足,T
RCD
(max)是
指定为唯一的一个参考点;如果T
RCD
大于指定吨
RCD
(最大值)限值,则
存取时间为t独占控制
CAC
.
4.操作用t
拉德
(最大值)限制确保了吨
RAC
(最大值)可以得到满足,T
拉德
(max)是
指定为唯一的一个参考点;如果T
拉德
大于指定吨
拉德
(最大值)限值,则
存取时间为t独占控制
AA
.
5.无论吨
ODD
或T
CDD
必须得到满足。
6.无论吨
DZO
或T
DZC
必须得到满足。
7. V
IH
(MIN)和V
IL
(最大值)是参考电平,用于测量输入信号的定时。另外,
过渡时间V之间测量
IH
(MIN)和V
IL
(最大值)。
8.假设那件T
RCD
< = T
RCD
(最大值)和叔
拉德
< = T
拉德
(MAX)。如果T
RCD
或T
拉德
大于
在此表中,T表示最大建议值
RAC
超出显示的值。
9.测量与负载电路等效于1TTL负荷和100pF电容。
10.假设那件T
RCD
& GT ; = T
RCD
(最大值)和叔
拉德
< = T
拉德
(最大值)。
11.假设那件T
RCD
< = T
RCD
(最大值)和叔
拉德
& GT ; = T
拉德
(最大值)。
12.要么吨
RCH
或T
RRH
必须满足一个读周期。
13. t
关闭
(最大值)和叔
OEZ
(最大值)定义的时间处的输出达到开路条件
灰和未提及的输出电压电平。
14. t
WCS ,
t
RWD
, t
CWD
, t
AWD
和T
CPW
不是限制性的操作参数。它们被包括在
数据表作为唯一的电气特性;如果T
WCS
& GT ; = T
WCS
(分钟) ,周期的早期
写周期和数据输出引脚将保持开路(高阻抗)在整个
整个周期;如果T
RWD
& GT ; = T
RWD
(分钟) ,T
CWD
& GT ; = T
CWD
(分钟) ,和叔
AWD
& GT ; = T
AWD
(分钟) ,或叔
CWD
& GT ; = T
CWD
(分钟)
t
AWD
& GT ; = T
AWD
(MIN)和叔
CPW
& GT ; = T
CPW
(分钟) ,则该循环是一个读 - 修改 - 写操作和数据输出
放将包含从所选择的单元中读取数据;如果既不的条件在上述套是
满足时,数据的状态输出(在存取时间)是不确定的。
修订版0.1 / Apr'01