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H5MS1G22MFP-E3M 参数 Datasheet PDF下载

H5MS1G22MFP-E3M图片预览
型号: H5MS1G22MFP-E3M
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内容描述: 1Gbit的移动DDR SDRAM的基础上8M X 4Bank X32的I / O [1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x32 I/O]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 63 页 / 2455 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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移动DDR SDRAM的1Gbit ( 32M X 32位)
H5MS1G22MFP系列/ H5MS1G32MFP系列
对于海力士信息已知良好芯片
与多芯片封装在一个封装(SiP)应用的出现( MCP ) ,层叠封装( POP)和系统,
客户对已知合格芯片( KGD )的需求有所增加。
对于较小的外形和更高的存储密度要求的推动,需要晶圆级存储解决方案
系统蒸发散,由于其优异的柔韧性。海力士已知合格芯片( KGD )的产品可在包装技术的使用
如系统功能于一个封装( SIP)和多芯片封装(MCP ),以减少所需的电路板面积,这使得它们
适用于手持式计算机,和许多其它便携式数字应用。
海力士移动SDRAM将能继续不断使所有应用程序的先进封装产品的努力
阳离子的客户。
- 请联系海力士办公室海力士KGD产品的可用性和信息。
修订版1.2 / 2008年6月
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